Найти в базе:  

Название: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре

Категория: Рефераты

Предмет: Радиоэлектроника

Описание:

На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры относительно линий лежащих на отрезках AB и GH:


text_id = 69

Последнее добавление

Ваша роль на сайте?

Забыли пароль?
Регистрация

Екатеринбург
Челябинск
Уфа
Пермь
Ижевск
Нижний Тагил
Тюмень
Москва
Санкт-Петербург